Residual Reflectivity of Amplification Media for Extended-Cavity Laser
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU29889" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU29889 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Residual Reflectivity of Amplification Media for Extended-Cavity Laser
Popis výsledku v původním jazyce
This contribution presents experimental results obtained by deposition double-layer system made by means of electron-beam vacuum evaporation technique. We oriented our effort to short-wavelength 633 - 635 nm laser diodes. These devices are emitting closeto the wavelength of traditional He-Ne lasers with an intention to use them in extended-cavity laser design for metrological purposes. The resulting reflectivities were evaluated by measuring a testing plate of GaAs and by measuring a "modulation depth"" of a coated diode emission spectra. Our best results were reflectivities well below 10-4 and the repeatibility of the deposition process in a range not exceeding 2x10-4.
Název v anglickém jazyce
Residual Reflectivity of Amplification Media for Extended-Cavity Laser
Popis výsledku anglicky
This contribution presents experimental results obtained by deposition double-layer system made by means of electron-beam vacuum evaporation technique. We oriented our effort to short-wavelength 633 - 635 nm laser diodes. These devices are emitting closeto the wavelength of traditional He-Ne lasers with an intention to use them in extended-cavity laser design for metrological purposes. The resulting reflectivities were evaluated by measuring a testing plate of GaAs and by measuring a "modulation depth"" of a coated diode emission spectra. Our best results were reflectivities well below 10-4 and the repeatibility of the deposition process in a range not exceeding 2x10-4.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Seveth International Symposium on Laser Metrology Applied to Science, Industry, and Everyday Life
ISBN
0-8194-4686-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
352-356
Název nakladatele
SPIE-The International Society for Optical Engineering
Místo vydání
Washington, USA
Místo konání akce
Novosibirsk
Datum konání akce
9. 9. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—