Selectivity of Thick-Film SnO2 and WO3-based Gas Sensors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU29933" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU29933 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Selectivity of Thick-Film SnO2 and WO3-based Gas Sensors

Popis výsledku v původním jazyce

The article presents gas sensitive properties of gas sensitive semiconducting sensors based on SnO2 and WO3. All sensors were fully fabricated by thick-film technology. The sensor is both side designed, one side has heater and temperature sensor, secondside has electrodes. Over electrodes the semiconducting active layer based on oxides of metal was printed. The composition of the active printed ink was prepared ourselves to assure good properties as adherence, porosity etc. Sensors were measured in sevveral gases with excellent selectivity for Ethanol and NO2.

Název v anglickém jazyce

Selectivity of Thick-Film SnO2 and WO3-based Gas Sensors

Popis výsledku anglicky

The article presents gas sensitive properties of gas sensitive semiconducting sensors based on SnO2 and WO3. All sensors were fully fabricated by thick-film technology. The sensor is both side designed, one side has heater and temperature sensor, secondside has electrodes. Over electrodes the semiconducting active layer based on oxides of metal was printed. The composition of the active printed ink was prepared ourselves to assure good properties as adherence, porosity etc. Sensors were measured in sevveral gases with excellent selectivity for Ethanol and NO2.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0939" target="_blank" >GA102/00/0939: Integrované inteligentní mikrosenzory a mikrosystémy</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Socrates Workshop 2002 - Proceedings. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Chania, Crete (Greece)

ISBN

80-214-2217-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

138-142

Název nakladatele

FEKT VUT v Brně

Místo vydání

Ing. Z. Novotny, Brno

Místo konání akce

Chania, Crete

Datum konání akce

2. 9. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—