Study of sensitivity of thick film SnO2 and WO3 semiconducting gas sensors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU29934" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU29934 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of sensitivity of thick film SnO2 and WO3 semiconducting gas sensors

Popis výsledku v původním jazyce

The article presents gas sensitive properties of gas sensitive semiconducting sensors based on SnO2 and WO3. All sensors were fully fabricated by thick-film technology. The sensor is both side designed, one side has heater and temperature sensor, secondside has electrodes. Only professional inks from Heraeus and ESL were used. Over electrodes the semiconducting active layer based on oxides of metal was printed. The composition of the active printed ink was prepared ourselves to assure good properties aas adherence, porosity etc. Sensors were measured in several gases and good responses in Ethanol, Ammonia and NO2 have been observed.

Název v anglickém jazyce

Study of sensitivity of thick film SnO2 and WO3 semiconducting gas sensors

Popis výsledku anglicky

The article presents gas sensitive properties of gas sensitive semiconducting sensors based on SnO2 and WO3. All sensors were fully fabricated by thick-film technology. The sensor is both side designed, one side has heater and temperature sensor, secondside has electrodes. Only professional inks from Heraeus and ESL were used. Over electrodes the semiconducting active layer based on oxides of metal was printed. The composition of the active printed ink was prepared ourselves to assure good properties aas adherence, porosity etc. Sensors were measured in several gases and good responses in Ethanol, Ammonia and NO2 have been observed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0939" target="_blank" >GA102/00/0939: Integrované inteligentní mikrosenzory a mikrosystémy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

EDS 2002 Electronic Devices and Systems Conference

ISBN

80-214-2180-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

349-354

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný, CSc., Brno, Ondráčkova 105

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

9. 9. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—