Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

TCAD Tools in Device Characterization and Parameter Extraction

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU30434" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU30434 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    TCAD Tools in Device Characterization and Parameter Extraction

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Simulation based (process-device) extraction methodology brings advantages both in cost savings and in reducing time-to-market. Instead of enduring the high cost and long time required for silicon fabrication, device designers obtain almost immediately the SPICE model parameters that result from "what if" process change analysis. This provokes a constantly growing need for complete device characterization and parameter extraction on the basis of simulated data provided by process and device simulators.Parameter extractors are those tools that link process-device simulation to circuit simulation and the main goal is to extract device model parameter values from front-end technological parameters. At present the exploitation of the integrated TCAD toolsto solve this problem is under study. The approaches to integrate process, device and circuit simulation TCAD tools are reviewed and examples of parameter extractors of leading TCAD vendors are presented.

  • Název v anglickém jazyce

    TCAD Tools in Device Characterization and Parameter Extraction

  • Popis výsledku anglicky

    Simulation based (process-device) extraction methodology brings advantages both in cost savings and in reducing time-to-market. Instead of enduring the high cost and long time required for silicon fabrication, device designers obtain almost immediately the SPICE model parameters that result from "what if" process change analysis. This provokes a constantly growing need for complete device characterization and parameter extraction on the basis of simulated data provided by process and device simulators.Parameter extractors are those tools that link process-device simulation to circuit simulation and the main goal is to extract device model parameter values from front-end technological parameters. At present the exploitation of the integrated TCAD toolsto solve this problem is under study. The approaches to integrate process, device and circuit simulation TCAD tools are reviewed and examples of parameter extractors of leading TCAD vendors are presented.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2002

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Socrates Workshop 2002 - Proceedings. Intensive Training Programme in Electronic System Design

  • ISBN

    80-214-2217-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    132-137

  • Název nakladatele

    Ing. Z. Novotný, Brno 2002

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Chania, Crete

  • Datum konání akce

    2. 9. 2002

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku