Citlivostní analýza tranzistoru NMOS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65049" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65049 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Citlivostní analýza tranzistoru NMOS
Popis výsledku v původním jazyce
Je popsáno využití systému ISE TCAD pro zjištění jak změny základních parametrů technologického procesu ovlivňují změnu prahového napětí NMOS tranzistoru. Je aplikována nízkopříkonová technologie CMOS s délkou hradla 0.15 ?m. Struktura NMOS tranzistoru je generována s využitím programů DIOS a MDRAW. Program DESSIS simuluje strukturu a generuje elektrické charakteristiky, ze kterých program INSPECT extrahuje prahové napětí. Program OPTIMISE generuje příslušné simulační experimenty a počítá citlivost prahového napětí vzhledem k jednotlivým zvoleným parametrům technologického procesu.
Název v anglickém jazyce
Sensitivity analysis of NMOS transistor
Popis výsledku anglicky
The example of using ISE TCAD package to analyze how the variability of process parameters may affect the variability of the threshold voltage simulation response is presented. The real 0.15 ?m CMOS technology for low-power application is used. The NMOStransistor structure is generated using ISE TCAD tools DIOS and MDRAW. DESSIS and INSPECT are used to generate device output electrical characteristics and extract analyzed responses. OPTIMISE generates relevant TCAD experiments and calculates sensitivities of threshold voltage to individual process parameters selected.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
ISBN
80-214-3342-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
106-109
Název nakladatele
Nakl. Novotný
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
12. 12. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—