Noise and Self-Healing of Tantalum Capacitors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU30729" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU30729 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Noise and Self-Healing of Tantalum Capacitors
Popis výsledku v původním jazyce
We present the comparative study of spatially resolved near-field photocurrent (NPC) spectra for high power laser diode arrays with double quantum well before and after degradation due to the aging process. Subwavelength spatial resolution is establishedusing a single mode fiber probe as an excitation source. The potential of the technique for analyzing microscopic aging processes in optoelectronic devices is demonstrated. The nondestructive quality of this method is a particularly attractive for in-siitu analysis of the structures.
Název v anglickém jazyce
Noise and Self-Healing of Tantalum Capacitors
Popis výsledku anglicky
We present the comparative study of spatially resolved near-field photocurrent (NPC) spectra for high power laser diode arrays with double quantum well before and after degradation due to the aging process. Subwavelength spatial resolution is establishedusing a single mode fiber probe as an excitation source. The potential of the technique for analyzing microscopic aging processes in optoelectronic devices is demonstrated. The nondestructive quality of this method is a particularly attractive for in-siitu analysis of the structures.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ME%20285" target="_blank" >ME 285: Výzkum moderních součástek pro globální komunikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Capacitor and Resistor Technology
ISSN
0887-7491
e-ISSN
—
Svazek periodika
2002
Číslo periodika v rámci svazku
4/2002
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
181-185
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—