Šum v pasivních součástkách - odporech a kondenzátorech
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU52211" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU52211 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Noise in Passive Components - Resistors and Capacitors
Popis výsledku v původním jazyce
The noise spectroscopy and non-linearity measurement of thick film resistors and tantalum and niobium capacitors is proposed as a non-destructive testing tool for quality and reliability prediction. The correlation between long-term stability and currentnoise and third harmonic index of thick film resistors prepared using two different technologies was investigated. The charge carrier transport and noise analysis of Ta2O5 and Nb2O5 dielectric layer capacitors was performed to find correlation between lleakage current and noise based quality indicators and optimize aging procedure
Název v anglickém jazyce
Noise in Passive Components - Resistors and Capacitors
Popis výsledku anglicky
The noise spectroscopy and non-linearity measurement of thick film resistors and tantalum and niobium capacitors is proposed as a non-destructive testing tool for quality and reliability prediction. The correlation between long-term stability and currentnoise and third harmonic index of thick film resistors prepared using two different technologies was investigated. The charge carrier transport and noise analysis of Ta2O5 and Nb2O5 dielectric layer capacitors was performed to find correlation between lleakage current and noise based quality indicators and optimize aging procedure
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 13th Symposium on Advanced Materials
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
110-115
Název nakladatele
Meisei University
Místo vydání
Tokio
Místo konání akce
Meisei University, Tokyo, Japan
Datum konání akce
16. 11. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—