Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Noise and Non-linearity as Reliability Indicators of Electronic Devices

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39212" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39212 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26220/03:PU40344

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Noise and Non-linearity as Reliability Indicators of Electronic Devices

  • Popis výsledku v původním jazyce

    An aplication of noise and non-linearity measurements in analysis, diagnostic and prediction of reliability of electronic devices is discussed. The sensitivity of noise and non-linearity to the device defects and other irregularities is typicaly featureof these methods. Conceptions of 1/f noise, burst noise or RTS noise, thermal noise and third harmonic voltage are described and theirs explanation is done. The results of noise and non-linearity measurements are shown. Possible reliability indicators foor conducting film resistors, MOSFETs and quantum dots are presented.

  • Název v anglickém jazyce

    Noise and Non-linearity as Reliability Indicators of Electronic Devices

  • Popis výsledku anglicky

    An aplication of noise and non-linearity measurements in analysis, diagnostic and prediction of reliability of electronic devices is discussed. The sensitivity of noise and non-linearity to the device defects and other irregularities is typicaly featureof these methods. Conceptions of 1/f noise, burst noise or RTS noise, thermal noise and third harmonic voltage are described and theirs explanation is done. The results of noise and non-linearity measurements are shown. Possible reliability indicators foor conducting film resistors, MOSFETs and quantum dots are presented.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ME%20605" target="_blank" >ME 605: Šum HEMT pro globální komunikace</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    MIDEM Cenference 2003 Proceedings

  • ISBN

    961-91023-1-2

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    12

  • Strana od-do

    3-14

  • Název nakladatele

    MIDEM - Society for Microelectronics, Electronic components and Materials

  • Místo vydání

    Slovenia

  • Místo konání akce

    Ptuj

  • Datum konání akce

    1. 10. 2003

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku