Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Hogeův parametr ve strukturách InGaAs

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39317" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39317 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Hooge Parameter of InGaAs Heterostructures Experimental Support fo 1/f Energy Patrition Model

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Temperature dependence of the Hooge parameter of the p- and n-type InGaAs heterostructures was measured in the 14K -- 300K region and compared with the mobility to find correlation between the 1/f noise characteristics and scattering processes in the semiconductors. The n-type sample's Hooge parameter is nearly 2x10-3 at 300K and p-type's about unity and these values change about one order down to 14K mainly due to the influence of traps. Experimental results were analysed in terms of the cross correlattion quantum 1/f noise and the 1/f energy partition fluctuation thoery and good argument was found for the latter model.

  • Název v anglickém jazyce

    Hooge Parameter of InGaAs Heterostructures Experimental Support fo 1/f Energy Patrition Model

  • Popis výsledku anglicky

    Temperature dependence of the Hooge parameter of the p- and n-type InGaAs heterostructures was measured in the 14K -- 300K region and compared with the mobility to find correlation between the 1/f noise characteristics and scattering processes in the semiconductors. The n-type sample's Hooge parameter is nearly 2x10-3 at 300K and p-type's about unity and these values change about one order down to 14K mainly due to the influence of traps. Experimental results were analysed in terms of the cross correlattion quantum 1/f noise and the 1/f energy partition fluctuation thoery and good argument was found for the latter model.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ME%20605" target="_blank" >ME 605: Šum HEMT pro globální komunikace</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Noise and Fluctuations

  • ISBN

    80-239-1005-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    123-126

  • Název nakladatele

    CNRL

  • Místo vydání

    Prague

  • Místo konání akce

    Prague

  • Datum konání akce

    18. 8. 2003

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku