Hogeův parametr ve strukturách InGaAs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39317" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39317 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Hooge Parameter of InGaAs Heterostructures Experimental Support fo 1/f Energy Patrition Model
Popis výsledku v původním jazyce
Temperature dependence of the Hooge parameter of the p- and n-type InGaAs heterostructures was measured in the 14K -- 300K region and compared with the mobility to find correlation between the 1/f noise characteristics and scattering processes in the semiconductors. The n-type sample's Hooge parameter is nearly 2x10-3 at 300K and p-type's about unity and these values change about one order down to 14K mainly due to the influence of traps. Experimental results were analysed in terms of the cross correlattion quantum 1/f noise and the 1/f energy partition fluctuation thoery and good argument was found for the latter model.
Název v anglickém jazyce
Hooge Parameter of InGaAs Heterostructures Experimental Support fo 1/f Energy Patrition Model
Popis výsledku anglicky
Temperature dependence of the Hooge parameter of the p- and n-type InGaAs heterostructures was measured in the 14K -- 300K region and compared with the mobility to find correlation between the 1/f noise characteristics and scattering processes in the semiconductors. The n-type sample's Hooge parameter is nearly 2x10-3 at 300K and p-type's about unity and these values change about one order down to 14K mainly due to the influence of traps. Experimental results were analysed in terms of the cross correlattion quantum 1/f noise and the 1/f energy partition fluctuation thoery and good argument was found for the latter model.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ME%20605" target="_blank" >ME 605: Šum HEMT pro globální komunikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Noise and Fluctuations
ISBN
80-239-1005-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
123-126
Název nakladatele
CNRL
Místo vydání
Prague
Místo konání akce
Prague
Datum konání akce
18. 8. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—