Floating gate MOSFET for low power applications

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39439" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39439 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Floating gate MOSFET for low power applications

Popis výsledku v původním jazyce

Circuits using floating-gate MOS transistors are well known from EPROMs, EEPROMs, and flash memories. Floating-gate circuits provide IC designers with a practical continuous-time capacitor-based technology, instead of the resistor-based technology used in discrete circuits. A floating gate occurs when we have no dc path to a fixed potential, precisely the effect traditionally avoided by many circuit designers and circuit simulators. The floating-gate voltage can modulate a channel between a source and ddrain and therefore can be used in computation. Capacitors coupling into this floating gate become effective gates of this transistor, where the gate strength depends upon the capacitor size. Floating-gate devices can become integral parts of continuous-time amplifiers and filters. In Ultra-Low-Voltage Floating-Gate Transconductance Amplifiers and other applications.

Název v anglickém jazyce

Floating gate MOSFET for low power applications

Popis výsledku anglicky

Circuits using floating-gate MOS transistors are well known from EPROMs, EEPROMs, and flash memories. Floating-gate circuits provide IC designers with a practical continuous-time capacitor-based technology, instead of the resistor-based technology used in discrete circuits. A floating gate occurs when we have no dc path to a fixed potential, precisely the effect traditionally avoided by many circuit designers and circuit simulators. The floating-gate voltage can modulate a channel between a source and ddrain and therefore can be used in computation. Capacitors coupling into this floating gate become effective gates of this transistor, where the gate strength depends upon the capacitor size. Floating-gate devices can become integral parts of continuous-time amplifiers and filters. In Ultra-Low-Voltage Floating-Gate Transconductance Amplifiers and other applications.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F03%2F0721" target="_blank" >GA102/03/0721: Metodika návrhu analogových integrovaných obvodů v nových technologiích</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the Socrates Workshop. Short Contributions

ISBN

80-214-2461-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

76-79

Název nakladatele

Technological Institute of Crete, Chania, Greece

Místo vydání

Chania, Greece

Místo konání akce

Technological Institute of Crete, Chania, Greece

Datum konání akce

22. 9. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—