Failure model of MOS transistors

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39446" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39446 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Failure model of MOS transistors
Popis výsledku v původním jazyce
Effects of gate-oxide failures on the operation of MOS transistor and describes the models of gate-oxide shorts (GOS) in n-channel and p-channel MOS transistors and simulation of circuits with these models.
Název v anglickém jazyce
Failure model of MOS transistors
Popis výsledku anglicky
Effects of gate-oxide failures on the operation of MOS transistor and describes the models of gate-oxide shorts (GOS) in n-channel and p-channel MOS transistors and simulation of circuits with these models.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F03%2F0721" target="_blank" >GA102/03/0721: Metodika návrhu analogových integrovaných obvodů v nových technologiích</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of EDS 2003 Electronic Devices and Systems Conference
ISBN
80-214-2452-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
234-238
Název nakladatele
Nakl. Ing. Z. Novotný
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
9. 9. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)