Intrinsický vodíkem zakončený diamant jako iontově citlivý polní tranzistor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00085142" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00085142 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Intrinsic hydrogen-terminated diamond as ion-sensitive field effect transistor

Popis výsledku v původním jazyce

Ion sensitive field-effect transistors (ISFET) are realized by a surface conductive channel on hydrogen-terminated diamond. The channel is gated by electrolyte solution. Hydrogen termination of diamond surface acts as a gate insulation without any additional nonconducting oxide layer. The results are compared with ISFETs which employ ion-sensitive gate oxides

Název v anglickém jazyce

Intrinsic hydrogen-terminated diamond as ion-sensitive field effect transistor

Popis výsledku anglicky

Ion sensitive field-effect transistors (ISFET) are realized by a surface conductive channel on hydrogen-terminated diamond. The channel is gated by electrolyte solution. Hydrogen termination of diamond surface acts as a gate insulation without any additional nonconducting oxide layer. The results are compared with ISFETs which employ ion-sensitive gate oxides

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Sensors and Actuators B - Chemical

ISSN

0925-4005

e-ISSN

—

Svazek periodika

122

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

596-599

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—