Diamond based solution-gated transistors for biosensor use

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00546558" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00546558 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/21:00554567

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Diamond based solution-gated transistors for biosensor use

Popis výsledku v původním jazyce

Bioelectronics and biosensors play a crucial role in modern society. The need for selectivity, sensitivity, fast and reliable response raises interest in the use of novel materials. Increased attention has been thus focused on carbon-based materials, namely diamond and graphene, which can provide many advantageous properties. In this paper, we focus on solution-gated field-effect transistors employing the hydrogen-terminated diamond surface as the functional layer for label-free monitoring proteins or cells in real-time. The hydrogen termination of diamond induces a sub-surface two-dimensional p-type channel sensitive to the surrounding conditions (gas molecules, biomolecules, or cells). Here, selected technological approaches in the fabrication of diamond-based solution-gated transistors are discussed.

Název v anglickém jazyce

Diamond based solution-gated transistors for biosensor use

Popis výsledku anglicky

Bioelectronics and biosensors play a crucial role in modern society. The need for selectivity, sensitivity, fast and reliable response raises interest in the use of novel materials. Increased attention has been thus focused on carbon-based materials, namely diamond and graphene, which can provide many advantageous properties. In this paper, we focus on solution-gated field-effect transistors employing the hydrogen-terminated diamond surface as the functional layer for label-free monitoring proteins or cells in real-time. The hydrogen termination of diamond induces a sub-surface two-dimensional p-type channel sensitive to the surrounding conditions (gas molecules, biomolecules, or cells). Here, selected technological approaches in the fabrication of diamond-based solution-gated transistors are discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of ADEPT - ADEPT 2021

ISBN

978-80-554-1806-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

University of Žilina

Místo vydání

Žilina

Místo konání akce

Podbanské

Datum konání akce

20. 9. 2021

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—