Rastrovací optická mikroskopie v blíykém poli a její aplikace v polvodičovém výzkumu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU42255" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU42255 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Scanning near-field optical microscopy and its application in semiconductor investigation

Popis výsledku v původním jazyce

Scanning near-field optical microscopy (SNOM) opened a new era in optical microscopy, bringing the spatial resolution at the 50-100 nm level using visible or near infrared light. This resolution is well below the diffraction limit of light and allows toovercome the restrictions of classical (far-field) optical techniques. With the development of small-aperture optical fiber probes or apertureless probes, sub-wavelength resolutions were achieved. The single capability of SNOM to simultaneously measure surface topography and local optical and electronic properties, thereby eliminating the need to perform cross correlation analysis on results obtained using different techniques, is particularly useful in this area. Several applications to the characterization of semiconductor, where SNOM techniques make possible a direct access to nondestructive, non-contact spectroscopic investigation of the structures, will be discussed. The advantages and drawbacks of SNOM in each application will be

Název v anglickém jazyce

Scanning near-field optical microscopy and its application in semiconductor investigation

Popis výsledku anglicky

Scanning near-field optical microscopy (SNOM) opened a new era in optical microscopy, bringing the spatial resolution at the 50-100 nm level using visible or near infrared light. This resolution is well below the diffraction limit of light and allows toovercome the restrictions of classical (far-field) optical techniques. With the development of small-aperture optical fiber probes or apertureless probes, sub-wavelength resolutions were achieved. The single capability of SNOM to simultaneously measure surface topography and local optical and electronic properties, thereby eliminating the need to perform cross correlation analysis on results obtained using different techniques, is particularly useful in this area. Several applications to the characterization of semiconductor, where SNOM techniques make possible a direct access to nondestructive, non-contact spectroscopic investigation of the structures, will be discussed. The advantages and drawbacks of SNOM in each application will be

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Polovodiče - lokální optické a elektrické vlastnosti</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Scanning probe microscopy 2004

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

108-111

Název nakladatele

Institute for Physics of Microsctructures RAS

Místo vydání

Nizhny Novgorod

Místo konání akce

Nizhny Novgorod

Datum konání akce

2. 5. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—