Použití rastrovací optické mikroskopie v blízkém poli při výzkumu polovodičů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU44150" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU44150 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Scanning near-field optical microscopy in semiconductor research

Popis výsledku v původním jazyce

Exploration of optical properties of materials and optical characterization of structure defects at the nanometer scale was impossible until recently due to the diffraction limit of light. With the invention of Scanning near-field optical microscopy (SNOM) the spatial resolution at the 50-100 nm level using visible or near infrared light is now possible.This review focuses on some applications of SNOM techniques of nondestructive, non-contact spectroscopic investigation of the structures.Throughout theereview, weight is placed on how SNOM goes together with existing material characterization techniques, as well as how quantitative results can be obtained from SNOM measurements.

Název v anglickém jazyce

Scanning near-field optical microscopy in semiconductor research

Popis výsledku anglicky

Exploration of optical properties of materials and optical characterization of structure defects at the nanometer scale was impossible until recently due to the diffraction limit of light. With the invention of Scanning near-field optical microscopy (SNOM) the spatial resolution at the 50-100 nm level using visible or near infrared light is now possible.This review focuses on some applications of SNOM techniques of nondestructive, non-contact spectroscopic investigation of the structures.Throughout theereview, weight is placed on how SNOM goes together with existing material characterization techniques, as well as how quantitative results can be obtained from SNOM measurements.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physics of low-dimensional structures

ISSN

0204-3467

e-ISSN

—

Svazek periodika

2004

Číslo periodika v rámci svazku

1/2

Stát vydavatele periodika

RU - Ruská federace

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

47-53

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—