Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Lokální mikroskopie a spektroskopie nanostrusktur pomocí blízkého optického pole

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU47444" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU47444 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Local near-field scanning optical microscopy and spectroscopy of nanostructures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Visible and near infrared Scanning Near Field Optical Microscopy (SNOM) was used to characterize nanostructured semiconductor materials and structures. SNOM is a relatively new technique that combines the versatility of optical microscopy with the resolution of a scanning probe microscope. Light coupled into a tapered optical fiber is used for excitation. The fiber probe is scanned over the sample while being held ~10 nm above the surface. At this point, any number of high resolution (~100 nm) optical mmeasurements can be made. In this work, the SNOM-induced photocurrent in GaAs devices was measured.

  • Název v anglickém jazyce

    Local near-field scanning optical microscopy and spectroscopy of nanostructures

  • Popis výsledku anglicky

    Visible and near infrared Scanning Near Field Optical Microscopy (SNOM) was used to characterize nanostructured semiconductor materials and structures. SNOM is a relatively new technique that combines the versatility of optical microscopy with the resolution of a scanning probe microscope. Light coupled into a tapered optical fiber is used for excitation. The fiber probe is scanned over the sample while being held ~10 nm above the surface. At this point, any number of high resolution (~100 nm) optical mmeasurements can be made. In this work, the SNOM-induced photocurrent in GaAs devices was measured.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Nano´04

  • ISBN

    80-214-2793-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    188-193

  • Název nakladatele

    Brno University of Technology

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    13. 10. 2004

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku