Spektroskopie fotoproudu v blízkém poli krystalických GaAs solárních článků

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU44337" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU44337 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near field photocurrent spectroscopy of crystalline GaAs solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

Visible Scanning Near Field Optical Microscopy (SNOM) was used to study cleaved edges of GaAs solar cell devices. SNOM is a relatively new technique that combines the versatility of optical microscopy with the resolution of a scanning probe microscope. Light coupled into a tapered optical fiber is used for excitation. The fiber probe is scanned over the sample while being held ~10 nm above the surface. At this point, any number of high resolution (~100 nm) optical measurements can be made. In this work,we measured the NSOM-induced photocurrent in GaAs devices. Our goal was to obtain spatially resolved measurements of the photocurrent response across the various layers in crystalline GaAs solar cells, by studying the cleaved edges of the cells. For excitation energies well above the bandgap, carrier recombination at the cleaved surface had a strong influence on the photocurrent signal. Decreasing the excitation energy, which increased the optical penetration depth, allowed the effects

Název v anglickém jazyce

Near field photocurrent spectroscopy of crystalline GaAs solar cells

Popis výsledku anglicky

Visible Scanning Near Field Optical Microscopy (SNOM) was used to study cleaved edges of GaAs solar cell devices. SNOM is a relatively new technique that combines the versatility of optical microscopy with the resolution of a scanning probe microscope. Light coupled into a tapered optical fiber is used for excitation. The fiber probe is scanned over the sample while being held ~10 nm above the surface. At this point, any number of high resolution (~100 nm) optical measurements can be made. In this work,we measured the NSOM-induced photocurrent in GaAs devices. Our goal was to obtain spatially resolved measurements of the photocurrent response across the various layers in crystalline GaAs solar cells, by studying the cleaved edges of the cells. For excitation energies well above the bandgap, carrier recombination at the cleaved surface had a strong influence on the photocurrent signal. Decreasing the excitation energy, which increased the optical penetration depth, allowed the effects

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Polovodiče - lokální optické a elektrické vlastnosti</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

CO-MAT-TECH 2004, Proceeding of 12. International Scientific Conference

ISBN

80-227-2117-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

1365-1370

Název nakladatele

Vydavatelstvo STU Bratislava

Místo vydání

Trnava

Místo konání akce

Trnava

Datum konání akce

14. 10. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—