Samouspořádací pórovitá struktura anodizované tenkovrstvé keramiky na Si susbtrátu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU51865" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU51865 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Selfordered Pore Structure of Anodized Alumina Thin Film on Si Substrate

Popis výsledku v původním jazyce

The purpose of our method is creating a template for electro deposition of nanowires directly on n-type Si substrate. The thickness of aluminum layer is 1-2 um. The first task was to find an efficient method for deposition of thin alumina film. The sputtering was found to be unsuitable for anodization process because nanocrytals had been created during the deposition of film. The creating of ordered pore structure failed. We found conditions in which aluminum layer is not dissolved during anodization beefore than pore structure is created.

Název v anglickém jazyce

Selfordered Pore Structure of Anodized Alumina Thin Film on Si Substrate

Popis výsledku anglicky

The purpose of our method is creating a template for electro deposition of nanowires directly on n-type Si substrate. The thickness of aluminum layer is 1-2 um. The first task was to find an efficient method for deposition of thin alumina film. The sputtering was found to be unsuitable for anodization process because nanocrytals had been created during the deposition of film. The creating of ordered pore structure failed. We found conditions in which aluminum layer is not dissolved during anodization beefore than pore structure is created.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

CG - Elektrochemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GP102%2F04%2FP162" target="_blank" >GP102/04/P162: Mikro- a nanostruktury realizované v mikroelektronických technologiích</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2005

ISBN

80-214-2990-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

300-303

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novoný, CSc.

Místo vydání

NEUVEDEN

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

15. 9. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—