Stochastické procesy v MOSFET tranzistorech

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU51881" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU51881 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Stochastic processes in MOSFET transistors

Popis výsledku v původním jazyce

Noise of electrical circuits is one of the the key parameters of today's communication systems. It limits the modulation quality of the information signal, and the cross-talk to adjacent channels. The noise spectroscopy in time and frequency domain is one of the promising methods to provide a non-destructive characterization of semiconductor materials and devices and also to determinate quality and reliability of researching devices. This applies to both active and passive components used in electricaalcircuits, i.e., bipolar, quantum dots and MOS structures, on one hand, and resistors and capacitors on the other. As a main diagnostic tool it is proposed to use low frequency current or voltage noise spectral density and theirs statistical distributions. In this paper, the most important noise sources generated in semiconductors and in their interfaces will be discussed, after that on MOSFET transistor to obtain proper noise model with all known noise sources.

Název v anglickém jazyce

Stochastic processes in MOSFET transistors

Popis výsledku anglicky

Noise of electrical circuits is one of the the key parameters of today's communication systems. It limits the modulation quality of the information signal, and the cross-talk to adjacent channels. The noise spectroscopy in time and frequency domain is one of the promising methods to provide a non-destructive characterization of semiconductor materials and devices and also to determinate quality and reliability of researching devices. This applies to both active and passive components used in electricaalcircuits, i.e., bipolar, quantum dots and MOS structures, on one hand, and resistors and capacitors on the other. As a main diagnostic tool it is proposed to use low frequency current or voltage noise spectral density and theirs statistical distributions. In this paper, the most important noise sources generated in semiconductors and in their interfaces will be discussed, after that on MOSFET transistor to obtain proper noise model with all known noise sources.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Elektronika a Informatika 2005

ISBN

80-7043-375-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

6-9

Název nakladatele

NEUVEDEN

Místo vydání

Plzen

Místo konání akce

Nečtiny

Datum konání akce

2. 11. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—