Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Noise and Carge Storage in Nb2O5 Thin Films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52183" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52183 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Noise and Carge Storage in Nb2O5 Thin Films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A low frequency noise and DC leakage current measurements have been performed on the MIS structure NbO - Nb2O5 - MnO2. The mechanism of current flow and current noise sources were determined from these measurements. The insulating layer thickness is 50 to 150 nm, relative permittivity about 38. The charge is accumulated not only on NbO and MnO2 electrodes, but also in the Nb2O5 insulating layer. The charge carrier transport is determined by the Poole-Frenkel mechanism and tunnelling in the normal mode ((for NbO electrode positive). In this case g-r noise is dominant for Poole-Frenkel mechanism and 1/f noise is dominant for tunnelling.

  • Název v anglickém jazyce

    Noise and Carge Storage in Nb2O5 Thin Films

  • Popis výsledku anglicky

    A low frequency noise and DC leakage current measurements have been performed on the MIS structure NbO - Nb2O5 - MnO2. The mechanism of current flow and current noise sources were determined from these measurements. The insulating layer thickness is 50 to 150 nm, relative permittivity about 38. The charge is accumulated not only on NbO and MnO2 electrodes, but also in the Nb2O5 insulating layer. The charge carrier transport is determined by the Poole-Frenkel mechanism and tunnelling in the normal mode ((for NbO electrode positive). In this case g-r noise is dominant for Poole-Frenkel mechanism and 1/f noise is dominant for tunnelling.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Noise and Fluctuations

  • ISBN

    0-7354-0267-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    135-138

  • Název nakladatele

    American Institute of Physics

  • Místo vydání

    United States of America

  • Místo konání akce

    Salamanca, Spain

  • Datum konání akce

    19. 9. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku