NbO a Ta kondenzátory - zbytkový proud a parametry modelu M-I-S

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU72008" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU72008 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: Leakage Current and M-I-S Model Parameters

Popis výsledku v původním jazyce

The method for quality and reliability of NbO and Ta capacitors is based on assessment of defects in insulating layer. The model of the MIS structure is used to give a physical interpretation of the NbO and Ta capacitors VA and CV characteristics and theirs temperature dependences. The MIS structure consists from metallic NbO or Ta, insulating layer made from Nb2O5 or Ta2O5 and semiconductor - MnO2. For the capacitor polarized in the "normal mode", (with the NbO and Ta electrode positive), ohmic, Poole-Frenkel and tunneling are the dominant conduction mechanisms. Insulating layer thickness in these devices has 20 to 100 nm and then these devices belong to nanoscale electronic devices in which quantum effects play important role. Insulating layer is notperfect structure and it contains oxygen vacancies and the other defects. They create deep localized states acting as donors with concentration about 1018 to 1019 cm-3. At such value of donor concentration impurity band can be created. E

Název v anglickém jazyce

Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: Leakage Current and M-I-S Model Parameters

Popis výsledku anglicky

The method for quality and reliability of NbO and Ta capacitors is based on assessment of defects in insulating layer. The model of the MIS structure is used to give a physical interpretation of the NbO and Ta capacitors VA and CV characteristics and theirs temperature dependences. The MIS structure consists from metallic NbO or Ta, insulating layer made from Nb2O5 or Ta2O5 and semiconductor - MnO2. For the capacitor polarized in the "normal mode", (with the NbO and Ta electrode positive), ohmic, Poole-Frenkel and tunneling are the dominant conduction mechanisms. Insulating layer thickness in these devices has 20 to 100 nm and then these devices belong to nanoscale electronic devices in which quantum effects play important role. Insulating layer is notperfect structure and it contains oxygen vacancies and the other defects. They create deep localized states acting as donors with concentration about 1018 to 1019 cm-3. At such value of donor concentration impurity band can be created. E

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of CARTS USA 2007

ISBN

0-7908-0114-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

337-345

Název nakladatele

Electronic Components, Assemblies&Materials Association

Místo vydání

USA

Místo konání akce

Albuquerque, New Mexico

Datum konání akce

26. 3. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—