Leakage Current and Quantum Effects in Tantalum Capacitors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU89316" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU89316 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Leakage Current and Quantum Effects in Tantalum Capacitors

Popis výsledku v původním jazyce

The analysis of charge carrier transport in Ta capacitors in the temperature range from 10 to 400 K was performed. The main goal of this work was to determine the potential barriers on Ta-Ta2O5 and Ta2O5-MnO2 (or conducting polymer) interfaces in the device structures Ta- Ta2O5-MnO2 (or conducting polymer) and to find possible influence on the device quality and reliability. Tantalum capacitor is a MIS structure, where insulating Ta2O5 layer is formed on metallic Ta anode and the MnO2 or conducting polymer form cathodes. Decreasing the thickness of the insulating Ta2O5 layer below 100 nm, the classical physical models are not able to give satisfactory descriptions of charge transport mechanism, and voltage and temperature dependences of electrical current. Some quantum effects, as electron tunneling and quantum transitions of electrons from trapping centers levels to conduction band must be taken into account. The traps (oxygen vacancies, their concentration is of the order of 1018 cm-

Název v anglickém jazyce

Leakage Current and Quantum Effects in Tantalum Capacitors

Popis výsledku anglicky

The analysis of charge carrier transport in Ta capacitors in the temperature range from 10 to 400 K was performed. The main goal of this work was to determine the potential barriers on Ta-Ta2O5 and Ta2O5-MnO2 (or conducting polymer) interfaces in the device structures Ta- Ta2O5-MnO2 (or conducting polymer) and to find possible influence on the device quality and reliability. Tantalum capacitor is a MIS structure, where insulating Ta2O5 layer is formed on metallic Ta anode and the MnO2 or conducting polymer form cathodes. Decreasing the thickness of the insulating Ta2O5 layer below 100 nm, the classical physical models are not able to give satisfactory descriptions of charge transport mechanism, and voltage and temperature dependences of electrical current. Some quantum effects, as electron tunneling and quantum transitions of electrons from trapping centers levels to conduction band must be taken into account. The traps (oxygen vacancies, their concentration is of the order of 1018 cm-

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

CARTS Europe 2010

ISBN

0-7908-0151-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

—

Název nakladatele

Electronic Components Association

Místo vydání

Munich, Germany

Místo konání akce

Munich

Datum konání akce

10. 11. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—