Transport náboje v tantalových a niob-oxidových kondentátorech v rozsahu teplot 100 až 300 K

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU63880" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU63880 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Charge Carrier Transport in NbO and Ta Capacitors in Temperature Range 100 to 300 K

Popis výsledku v původním jazyce

An analysis of charge carrier transport in NbO and Ta capacitors was performed at temperature range 100 to 300 K. VA characteristics in normal and reverse mode have been measured and characteristics important for formulation of MIS structure have been obtained to prove that in reverse mode a threshold voltage exists at which a potential barrier in Nb2O5 and Ta2O5 dielectrics depends on temperature. If the capacitor is polarized in the "normal mode", (with the NbO and Ta electrode positive), ohmic, Poole-Frenkel and tunneling are the dominant conduction mechanisms. Current components dependent on Boltzmann distribution of charge carriers decrease for decreasing temperature. It concerns to Schottky, Poole-Frenkel and ohmic current components. For temperature lower than 200K these components are lower than the tunneling one and VA characteristic is described by charge carrier tunneling only. Threshold voltage is dependent on barrier at Nb2O5 - MnO2 interface for normal mode and NbO - Nb2O

Název v anglickém jazyce

Charge Carrier Transport in NbO and Ta Capacitors in Temperature Range 100 to 300 K

Popis výsledku anglicky

An analysis of charge carrier transport in NbO and Ta capacitors was performed at temperature range 100 to 300 K. VA characteristics in normal and reverse mode have been measured and characteristics important for formulation of MIS structure have been obtained to prove that in reverse mode a threshold voltage exists at which a potential barrier in Nb2O5 and Ta2O5 dielectrics depends on temperature. If the capacitor is polarized in the "normal mode", (with the NbO and Ta electrode positive), ohmic, Poole-Frenkel and tunneling are the dominant conduction mechanisms. Current components dependent on Boltzmann distribution of charge carriers decrease for decreasing temperature. It concerns to Schottky, Poole-Frenkel and ohmic current components. For temperature lower than 200K these components are lower than the tunneling one and VA characteristic is described by charge carrier tunneling only. Threshold voltage is dependent on barrier at Nb2O5 - MnO2 interface for normal mode and NbO - Nb2O

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceeding of CARTS Europe 2006 - 20th annual passive components symposium

ISBN

0-7908-0110-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

189-198

Název nakladatele

Electronic Components, Assemblies and Materials Association

Místo vydání

Bad Homburg, Německo

Místo konání akce

Bad Homburg

Datum konání akce

25. 9. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—