Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Pozorování vícevrstvých polovodičových struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52236" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52236 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68081731:_____/05:00022834

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Observation of Multilayer Semiconductor Structures in the Scanning Electron Microscope

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Scanning Electron Microscopes (SEMs) have been used for various applications in the semiconductor industry. Observation of the cross section of semiconductor devices can give important information about the layer structure, film thicknesses and the defects localization. The way to obtain more information about the multilayer semiconductor structure is observation using SEM with various detection modes. The aim of this contribution is to give information about the detection modes used to the visualizatioon of semiconductor structures in the SEM.

  • Název v anglickém jazyce

    Observation of Multilayer Semiconductor Structures in the Scanning Electron Microscope

  • Popis výsledku anglicky

    Scanning Electron Microscopes (SEMs) have been used for various applications in the semiconductor industry. Observation of the cross section of semiconductor devices can give important information about the layer structure, film thicknesses and the defects localization. The way to obtain more information about the multilayer semiconductor structure is observation using SEM with various detection modes. The aim of this contribution is to give information about the detection modes used to the visualizatioon of semiconductor structures in the SEM.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of IMAPS CS International Conference 2005

  • ISBN

    80-214-2990-9

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    248-250

  • Název nakladatele

    Vysoké učení technické v Brně

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    15. 9. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku