Testování solárních článků pomocí přechodových dějů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54512" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54512 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Testing of solar cells using fast transients.

Popis výsledku v původním jazyce

Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. The parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and minority carrier lifetime can be acquired easily. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed, but there are two problems which must be always considered. Firstly the recombination time depends on the actual concentration of minoority carriers and also trapping effects can superimpose to the minority carriers concentration decay. Other problem is influence of cell junction parameters, especially the depletion layer capacitance, which masks the recombination phenomena. To cancelthe influence of the depletion layer capacitance a voltage bias in the range 400 - 500 mV was used. The voltage bias was made with dark current bias or with light bias. The measurement and evaluation scheme is given and some parameters of

Název v anglickém jazyce

Testing of solar cells using fast transients.

Popis výsledku anglicky

Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. The parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and minority carrier lifetime can be acquired easily. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed, but there are two problems which must be always considered. Firstly the recombination time depends on the actual concentration of minoority carriers and also trapping effects can superimpose to the minority carriers concentration decay. Other problem is influence of cell junction parameters, especially the depletion layer capacitance, which masks the recombination phenomena. To cancelthe influence of the depletion layer capacitance a voltage bias in the range 400 - 500 mV was used. The voltage bias was made with dark current bias or with light bias. The measurement and evaluation scheme is given and some parameters of

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems 2005. Proceedings

ISBN

80-214-2990-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

194-199

Název nakladatele

Nakl. Novotný

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

15. 9. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—