Nanorozměrový dvou-hradlový tranzistor typu MOSFET.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54553" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54553 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Nanoscale Double-Gate MOSFET.
Popis výsledku v původním jazyce
This paper directs attention to an analytically compact model for the nanoscale double-gate metal-oxide semiconductor field effect transistor based on McKelvey's flux theory. The general goal is to present completed characteristics of Double-Gate MOSFET.The model is continuous above and below threshold and from linear to saturation regions. Most importantly, it describes nanoscale MOSFET from the diffusive to ballistic regimes. Paper involved simulations of current voltages characteristics dependent onn its parameters, 3D model structure and exploring the limits.
Název v anglickém jazyce
The Nanoscale Double-Gate MOSFET.
Popis výsledku anglicky
This paper directs attention to an analytically compact model for the nanoscale double-gate metal-oxide semiconductor field effect transistor based on McKelvey's flux theory. The general goal is to present completed characteristics of Double-Gate MOSFET.The model is continuous above and below threshold and from linear to saturation regions. Most importantly, it describes nanoscale MOSFET from the diffusive to ballistic regimes. Paper involved simulations of current voltages characteristics dependent onn its parameters, 3D model structure and exploring the limits.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Intensive Training Programme in Electronic System Design
ISBN
80-214-3042-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
158-162
Název nakladatele
Technological Institute of Chania
Místo vydání
Chania
Místo konání akce
Chania, Crete, Greece
Datum konání akce
21. 9. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—