Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Analýza kvality kontaktů v CdTe detektorech

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU57360" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU57360 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    ANALYSIS OF CONTACT QUALITY IN CDTE DETECTORS

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Contact metal - semiconductor is an obligatory element of all semiconductor devices. Energy band diagrams of the CdTe-metal interface have been modeled on the basis of the semiconductor parameters. Energy band diagram shows position of the Fermi level inmetal and bottom of conductivity band Ec, valence band ceiling Ev, Fermi level, and impurity activation energy in the semiconductor. In the area of CdTe-metal interface arises a contact field. It causes bending of the energy bands in the depleted zooneof the semiconductor. A series of measurements of VA characteristics at various temperatures was carried out in the dark and the changes of the current function with temperature were determined.

  • Název v anglickém jazyce

    ANALYSIS OF CONTACT QUALITY IN CDTE DETECTORS

  • Popis výsledku anglicky

    Contact metal - semiconductor is an obligatory element of all semiconductor devices. Energy band diagrams of the CdTe-metal interface have been modeled on the basis of the semiconductor parameters. Energy band diagram shows position of the Fermi level inmetal and bottom of conductivity band Ec, valence band ceiling Ev, Fermi level, and impurity activation energy in the semiconductor. In the area of CdTe-metal interface arises a contact field. It causes bending of the energy bands in the depleted zooneof the semiconductor. A series of measurements of VA characteristics at various temperatures was carried out in the dark and the changes of the current function with temperature were determined.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Student EEICT 2006

  • ISBN

    80-214-3162-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    102-106

  • Název nakladatele

    Ing. Zdeněk Novotný, CSc., Brno, Ondráčkova 105

  • Místo vydání

    Brno, česká republika

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    27. 4. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku