Ion electromigration in CdTe Schottky metal-semiconductor-metal structure

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F15%3A10315442" target="_blank" >RIV/00216208:11320/15:10315442 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26620/15:PU113960 RIV/68081723:_____/15:00463487

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.ssi.2015.04.016" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.ssi.2015.04.016</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.ssi.2015.04.016" target="_blank" >10.1016/j.ssi.2015.04.016</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ion electromigration in CdTe Schottky metal-semiconductor-metal structure

Popis výsledku v původním jazyce

We measured current transients in metal-semiconductor- metal (M-S-M) structure with two Au Schottky contacts fabricated to low resistivity p-CdTe material and propose a new model considering the electromigration of ions in the depletion region formed atthe reversed biased Au-CdTe interface. We assume that the electric field confined in the depletion region causes at elevated temperatures electromigration of donor defects in the semiconductor bulk. The drift of these ions changes with time the value ofthe electric field at the Au-CdTe interface and the value of resistance of the depletion region. The correlation between this field and the value of the reversed electric current is determined from the shape of current-voltage characteristics of the structure. We explain the change of the current with time as a result of changing electric field at the interface. The I-R-V measurement on the studied sample reveals that the field dependence of barrier height due to the image force is the m

Název v anglickém jazyce

Ion electromigration in CdTe Schottky metal-semiconductor-metal structure

Popis výsledku anglicky

We measured current transients in metal-semiconductor- metal (M-S-M) structure with two Au Schottky contacts fabricated to low resistivity p-CdTe material and propose a new model considering the electromigration of ions in the depletion region formed atthe reversed biased Au-CdTe interface. We assume that the electric field confined in the depletion region causes at elevated temperatures electromigration of donor defects in the semiconductor bulk. The drift of these ions changes with time the value ofthe electric field at the Au-CdTe interface and the value of resistance of the depletion region. The correlation between this field and the value of the reversed electric current is determined from the shape of current-voltage characteristics of the structure. We explain the change of the current with time as a result of changing electric field at the interface. The I-R-V measurement on the studied sample reveals that the field dependence of barrier height due to the image force is the m

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Solid State Ionics

ISSN

0167-2738

e-ISSN

—

Svazek periodika

278

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

20-25

Kód UT WoS článku

000359887700004

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84930958695