Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High frequency noise calculation in Schottky metal-semiconductor-metal structure and parameter retrieval of nanometric CdTe structure

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F18%3A10384698" target="_blank" >RIV/00216208:11320/18:10384698 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68081723:_____/18:00493520

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.10.060" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.10.060</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2017.10.060" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2017.10.060</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High frequency noise calculation in Schottky metal-semiconductor-metal structure and parameter retrieval of nanometric CdTe structure

  • Popis výsledku v původním jazyce

    An analytical model to calculate the noise spectral density in Metal-Semiconductor-Metal (M-S-M) structure of Schottky contacts has been developed. The model based on the linearization of Langevin approach of carrier motion inside a bulk semiconductor, and taking into account the fluctuations in the leakage current through the structure due to the barrier lowering by the image force effect. Particularly, the calculations describe two quantities of noise: electric field and total current spectral densities. The results obtained from the Au-CdTe-Au Schottky structure exhibit sharp resonances due to the effect of plasma frequency oscillations and the relative thickness of the depletion region below the anode. Moreover, the noise current spectrum exhibits Lorentzian behavior when the M-S-M has the form of a homogenous structure (thickness of depletion region approximate to 0). These results are in agreement with that reported by Monte Carlo technique of metal Schottky structure. The discussion of the noise spectra as a function of structure parameters revealed that the nanometric M-S-M structures with undoped CdTe can be used as Schottky detectors/emitters in Terahertz frequency applications.

  • Název v anglickém jazyce

    High frequency noise calculation in Schottky metal-semiconductor-metal structure and parameter retrieval of nanometric CdTe structure

  • Popis výsledku anglicky

    An analytical model to calculate the noise spectral density in Metal-Semiconductor-Metal (M-S-M) structure of Schottky contacts has been developed. The model based on the linearization of Langevin approach of carrier motion inside a bulk semiconductor, and taking into account the fluctuations in the leakage current through the structure due to the barrier lowering by the image force effect. Particularly, the calculations describe two quantities of noise: electric field and total current spectral densities. The results obtained from the Au-CdTe-Au Schottky structure exhibit sharp resonances due to the effect of plasma frequency oscillations and the relative thickness of the depletion region below the anode. Moreover, the noise current spectrum exhibits Lorentzian behavior when the M-S-M has the form of a homogenous structure (thickness of depletion region approximate to 0). These results are in agreement with that reported by Monte Carlo technique of metal Schottky structure. The discussion of the noise spectra as a function of structure parameters revealed that the nanometric M-S-M structures with undoped CdTe can be used as Schottky detectors/emitters in Terahertz frequency applications.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Thin Solid Films

  • ISSN

    0040-6090

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    645

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    340-344

  • Kód UT WoS článku

    000418305200050

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85033432138