Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Low Frequency Noise and Ions Diffusion in the CdTe Bulk Single Crystals

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU95379" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU95379 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Low Frequency Noise and Ions Diffusion in the CdTe Bulk Single Crystals

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The effect of ions diffusion on time dependence of noise and polarization phenomena of CdTe bulk single crystals has been carried out. We evaluated the instability of the reverse current of the Schottky contact at the P-type CdTe and the Au interface bya model which considers the effects of deep acceptors. The results shows small detrapping time compared to the experimental measurements. We suggested the diffusion of ions in depletion region at the metal - semiconductor (M-S) interface causes an additional reduction of the barrier and may be considered as another responsible mechanism for the polarization effect.

  • Název v anglickém jazyce

    Low Frequency Noise and Ions Diffusion in the CdTe Bulk Single Crystals

  • Popis výsledku anglicky

    The effect of ions diffusion on time dependence of noise and polarization phenomena of CdTe bulk single crystals has been carried out. We evaluated the instability of the reverse current of the Schottky contact at the P-type CdTe and the Au interface bya model which considers the effects of deep acceptors. The results shows small detrapping time compared to the experimental measurements. We suggested the diffusion of ions in depletion region at the metal - semiconductor (M-S) interface causes an additional reduction of the barrier and may be considered as another responsible mechanism for the polarization effect.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP102%2F11%2F0995" target="_blank" >GAP102/11/0995: Transport elektronů, šum a diagnostika Shottkyho a autoemisních katod</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    21st International Conference on Noise and Fluctuations

  • ISBN

    978-1-4577-0191-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    1-4

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    Kanada

  • Místo konání akce

    Toronto, Kanada

  • Datum konání akce

    12. 6. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku