Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Jednosměrné ochranné ESD struktury nastavitelné geometrickou maskou

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU63705" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU63705 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection against the parasitic electrostatic discharge stresses in integrated circuits. The use of these structures provides better robustness against ESD stresses but also a number of secondary features, which degrades the circuit performance. These features are for example degradation of the bandwidth, bigger noise or lower gain. The ESD protections are based on regulator diodes or similar semiconductor variations that work in the areaof non-destructive breakdown for discharging parasitic charge. It observes if is possible to set different characteristics of such structures by geometrical masks adjustments only during its production.

  • Název v anglickém jazyce

    One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only

  • Popis výsledku anglicky

    The ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection against the parasitic electrostatic discharge stresses in integrated circuits. The use of these structures provides better robustness against ESD stresses but also a number of secondary features, which degrades the circuit performance. These features are for example degradation of the bandwidth, bigger noise or lower gain. The ESD protections are based on regulator diodes or similar semiconductor variations that work in the areaof non-destructive breakdown for discharging parasitic charge. It observes if is possible to set different characteristics of such structures by geometrical masks adjustments only during its production.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Moderní metody řešení, návrhu a aplikace elektronických obvodů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Moderní metody řešení,návrhu a aplikace elektronických obvodů

  • ISBN

    80-214-3328-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    6-10

  • Název nakladatele

    Ing. Zdeněk Novotný, CSc

  • Místo vydání

    Neuveden

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    24. 11. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku