Použití tyristorových struktur v ochranných ESD obvodech pro VHVIC CMOS technologie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU70461" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU70461 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

New application of SCR based ESD protective structure for VHVIC technology

Popis výsledku v původním jazyce

ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge events. They are located on input or output (I/O) pads. The use of such structures provides better robustness againstESD but also a number of secondary parasitic effects which limit the circuit performance. These effects, for example, limit the bandwidth of processed signals, causes bigger noise or lower gain. Among often used structures belong structures known as SCR(silicon controlled rectifier) or thyristor. Typical application of SCR ESD protections is in submicron CMOS processes. This text is dealing with SCR structure, which was designed for VHVIC (very high voltage integrated circuits) technology.

Název v anglickém jazyce

New application of SCR based ESD protective structure for VHVIC technology

Popis výsledku anglicky

ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge events. They are located on input or output (I/O) pads. The use of such structures provides better robustness againstESD but also a number of secondary parasitic effects which limit the circuit performance. These effects, for example, limit the bandwidth of processed signals, causes bigger noise or lower gain. Among often used structures belong structures known as SCR(silicon controlled rectifier) or thyristor. Typical application of SCR ESD protections is in submicron CMOS processes. This text is dealing with SCR structure, which was designed for VHVIC (very high voltage integrated circuits) technology.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Moderní metody řešení, návrhu a aplikace elektronických obvodů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Moderní metody řešení, návrhu a aplikace elektronických obvodů

ISBN

978-80-214-3535-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

80

Strana od-do

26-105

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný, Csc

Místo vydání

Brno, Ondráčkova 105

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

24. 11. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—