Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Ochranná ESD struktura vycházející z tyristoru pro technologii VHVIC

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU68910" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU68910 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    SCR based protective structure against ESD for VHVIC technology

  • Popis výsledku v původním jazyce

    ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge events. They are located on input or output (I/O) pads. The use of such structures provides better robustness againstESD.Among often used structures belong structures known as SCR (silicon controlled rectifier) or thyristor. Typical application of SCR ESD protections is in submicron CMOS processes. This text is dealing with SCR structure, which was designed for VHVIC(very high voltage integrated circuits) technology.

  • Název v anglickém jazyce

    SCR based protective structure against ESD for VHVIC technology

  • Popis výsledku anglicky

    ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge events. They are located on input or output (I/O) pads. The use of such structures provides better robustness againstESD.Among often used structures belong structures known as SCR (silicon controlled rectifier) or thyristor. Typical application of SCR ESD protections is in submicron CMOS processes. This text is dealing with SCR structure, which was designed for VHVIC(very high voltage integrated circuits) technology.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Moderní metody řešení, návrhu a aplikace elektronických obvodů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Electronic devices and systems IMAPS CS International Conference 2007

  • ISBN

    978-80-214-3470-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    306-310

  • Název nakladatele

    Ing.Zdeněk Novotný CSc., Brno Ondráčkova 105

  • Místo vydání

    Neuveden

  • Místo konání akce

    BRNO

  • Datum konání akce

    20. 9. 2007

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku