Ochranná ESD struktura vycházející z tyristoru pro technologii VHVIC
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU68910" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU68910 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
SCR based protective structure against ESD for VHVIC technology
Popis výsledku v původním jazyce
ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge events. They are located on input or output (I/O) pads. The use of such structures provides better robustness againstESD.Among often used structures belong structures known as SCR (silicon controlled rectifier) or thyristor. Typical application of SCR ESD protections is in submicron CMOS processes. This text is dealing with SCR structure, which was designed for VHVIC(very high voltage integrated circuits) technology.
Název v anglickém jazyce
SCR based protective structure against ESD for VHVIC technology
Popis výsledku anglicky
ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge events. They are located on input or output (I/O) pads. The use of such structures provides better robustness againstESD.Among often used structures belong structures known as SCR (silicon controlled rectifier) or thyristor. Typical application of SCR ESD protections is in submicron CMOS processes. This text is dealing with SCR structure, which was designed for VHVIC(very high voltage integrated circuits) technology.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Moderní metody řešení, návrhu a aplikace elektronických obvodů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Electronic devices and systems IMAPS CS International Conference 2007
ISBN
978-80-214-3470-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
306-310
Název nakladatele
Ing.Zdeněk Novotný CSc., Brno Ondráčkova 105
Místo vydání
Neuveden
Místo konání akce
BRNO
Datum konání akce
20. 9. 2007
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—