Variabilni horizontalni tyristor jako ESD ochrana

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU78861" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU78861 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Variable Lateral Silicon Controlled Rectifier as an ESD Protection

Popis výsledku v původním jazyce

The Variable lateral Silicon Controlled Rectifier (VLSCR) is a SCR based structure with the possibility to tune I-V snapback characteristics. This effect is important for an ESD (electrostatic discharge) protection design. The ESD protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge. Among often used structures belong structures having snapback type of I-V characteristic. Typical is a gate-grounded NMOS transistor [3] or a SCR [3]. This text is dealing with the VLSCR structure which enables I-V snap-back characteristics tuning according to the application demand. Simulated technology was CMOS very high voltage (VHV Integrated Circuits). Measurement was done in BiCMOS process.

Název v anglickém jazyce

Variable Lateral Silicon Controlled Rectifier as an ESD Protection

Popis výsledku anglicky

The Variable lateral Silicon Controlled Rectifier (VLSCR) is a SCR based structure with the possibility to tune I-V snapback characteristics. This effect is important for an ESD (electrostatic discharge) protection design. The ESD protection structures act as a protection of integrated circuits against parasitic electrostatic discharge. Among often used structures belong structures having snapback type of I-V characteristic. Typical is a gate-grounded NMOS transistor [3] or a SCR [3]. This text is dealing with the VLSCR structure which enables I-V snap-back characteristics tuning according to the application demand. Simulated technology was CMOS very high voltage (VHV Integrated Circuits). Measurement was done in BiCMOS process.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

WSEAS Transactions on Electronics

ISSN

1109-9445

e-ISSN

—

Svazek periodika

5

Číslo periodika v rámci svazku

8

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—