Ladění A/V charakteristik S-typu u polovodičových struktur na bázi tyristoru

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU73709" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU73709 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Snap-back characteristics tuning of SCR-based semiconductor structures

Popis výsledku v původním jazyce

Semiconductor structures having snap-back type of I-V characteristics are very useful in ESD (electrostatic discharge) protection design. ESD protection structures act as a protection of integrated circuits against the parasitic electrostatic discharge.The typical protection structure having the snap-back type of I-V characteristic is a SCR (silicon controlled rectifier) or a gate grounded NMOS transistor. This text is dealing with structures which enable tuning of I-V snapback characteristics. The simulated technology was CMOS very high voltage (VHVIC). The measurement was done for samples manufactured in 1.5um BiCMOS.

Název v anglickém jazyce

Snap-back characteristics tuning of SCR-based semiconductor structures

Popis výsledku anglicky

Semiconductor structures having snap-back type of I-V characteristics are very useful in ESD (electrostatic discharge) protection design. ESD protection structures act as a protection of integrated circuits against the parasitic electrostatic discharge.The typical protection structure having the snap-back type of I-V characteristic is a SCR (silicon controlled rectifier) or a gate grounded NMOS transistor. This text is dealing with structures which enable tuning of I-V snapback characteristics. The simulated technology was CMOS very high voltage (VHVIC). The measurement was done for samples manufactured in 1.5um BiCMOS.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

WSEAS Transactions on Electronics

ISSN

1109-9445

e-ISSN

—

Svazek periodika

4

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—