Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Rychlé přechodové děje pro testování solárních článků

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65083" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65083 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In solar cell diagnostic the parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers are of great importance. Characterization of solar cells based on evaluationof solar cell response to fast transients is described. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed. Because relatively high doping level by standard silicon solar cells a voltage bias in the range 400 - 500 mV is needed.to cancel the influence of the depletion layer capacitance The voltage bias was made with dark current bias or with light bias.

  • Název v anglickém jazyce

    Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells

  • Popis výsledku anglicky

    In solar cell diagnostic the parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers are of great importance. Characterization of solar cells based on evaluationof solar cell response to fast transients is described. The measurement and evaluation procedure is very simple and no expensive devices are needed. Because relatively high doping level by standard silicon solar cells a voltage bias in the range 400 - 500 mV is needed.to cancel the influence of the depletion layer capacitance The voltage bias was made with dark current bias or with light bias.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings EDS °06

  • ISBN

    80-214-3246-2

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    461-466

  • Název nakladatele

    Nakl. Z. Novotný

  • Místo vydání

    NEUVEDEN

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    14. 9. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku