Testování fotovoltaických článků pomocí přechodových dějů

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65176" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65176 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Testování fotovoltaických článků pomocí přechodových dějů
Popis výsledku v původním jazyce
Parametry náhradního schématu jsou pro určení vlastností solárních článků velmi důlažité. V článku je popsána charakterizace solárních článků založená na měření odezvy článku na přechodné děje. Pro potlačení vlivu geometrické kapacity přechodu bylo používáno předpětí v rozsahu 400 - 500 mV. Předpětí bylo nastaveno pomocí proudového impulsu za temna nebo pomocí osvětlení. Je uvedeno blokové schéma zařízení a jsou diskutovány parametry naměřené u solárních článků různé kvality.
Název v anglickém jazyce
Testing of solar cells using fasr transients
Popis výsledku anglicky
In solar cell diagnostic the parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers are of great importance. Characterization of solar cells based on evaluationof solar cell response to fast transients is described. Because relatively high doping level by standard silicon solar cells a voltage bias in the range 400 - 500 mV is needed.to cancel the influence of the depletion layer capacitance. The voltage biaswas made with dark current bias or with light bias.

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)