Naprašování SiNx, AlN, SiC pro vytváření pasivačních a antireflexních vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU69038" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU69038 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Sputtered SiNx, AlN and SiC as passivation and ARC layers
Popis výsledku v původním jazyce
Different types of mono-crystalline solar cell surfaces are presented in this article. Reactively sputtered layers of different compositions (SiNx, AlN and SiC) are used for passivation coatings on both cells sides. Sputtering technology gives the possibility to replace high-temperature processes which decrease surface and bulk defect density. Consequently, sputtering results in higher solar cell efficiency. Surface and bulk recombination parameters were measured by means of microwave photoconductivitydecay (MW-PCD).
Název v anglickém jazyce
Sputtered SiNx, AlN and SiC as passivation and ARC layers
Popis výsledku anglicky
Different types of mono-crystalline solar cell surfaces are presented in this article. Reactively sputtered layers of different compositions (SiNx, AlN and SiC) are used for passivation coatings on both cells sides. Sputtering technology gives the possibility to replace high-temperature processes which decrease surface and bulk defect density. Consequently, sputtering results in higher solar cell efficiency. Surface and bulk recombination parameters were measured by means of microwave photoconductivitydecay (MW-PCD).

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)