Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Testování křemíkových solárních článků pomocí rychlých transientů

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU72114" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU72114 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Precise Evaluation of Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Parameters of fotovoltaic cells as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and junction capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers in bulk can be taken easily using the cell response to fast transients. Since the dark forward current forced into the N+P junction is mainly the electron current from the N+ emitter to P base - the relaxation time is given rather by recombination of electrons in the P base. It means that there is only low influence of the surface recombination and recombination in N+ layer and thus the time constant which can be found this way is more consistent with the bulk minority carriers lifetime.

  • Název v anglickém jazyce

    Precise Evaluation of Fast Transients in Testing of Silicon Solar Cells

  • Popis výsledku anglicky

    Parameters of fotovoltaic cells as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and junction capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers in bulk can be taken easily using the cell response to fast transients. Since the dark forward current forced into the N+P junction is mainly the electron current from the N+ emitter to P base - the relaxation time is given rather by recombination of electrons in the P base. It means that there is only low influence of the surface recombination and recombination in N+ layer and thus the time constant which can be found this way is more consistent with the bulk minority carriers lifetime.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    In 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference

  • ISBN

    3-936338-22-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    385-388

  • Název nakladatele

    WIP-Renewable Energies, 2007

  • Místo vydání

    Milano, Italy

  • Místo konání akce

    Milan, Italy

  • Datum konání akce

    3. 9. 2007

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku