Měření ZnS:Mn nanokrystalů a objemových tenkých vrstev elektroluminiscenčních součástek v blízkém poli

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU72510" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU72510 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near-field measurement of ZnS:Mn nanocrystal and bulk thin-film electroluminescent devices

Popis výsledku v původním jazyce

A study of the electro-optical and aging characteristics of nanostructured and bulk ZnS:Mn ACTFEL devices is presented. ZnS:Mn nanocrystals contain four different concentrations of Mn (from 0.05 to 1.0 wt%). Almost all previous measurements have been done in the far-field, therefore a local study of optical near-field of samples was applied. Although the electro-optic performance and aging behavior of these devices is rather good, the luminous efficiency is currently not sufficient to justify commercialization of this phosphor. SNOM technique has shown to be extremely important characterization tools for nanostructured materials, not only for engineered semiconductor materials but for molecular-based nanostructures as well.

Název v anglickém jazyce

Near-field measurement of ZnS:Mn nanocrystal and bulk thin-film electroluminescent devices

Popis výsledku anglicky

A study of the electro-optical and aging characteristics of nanostructured and bulk ZnS:Mn ACTFEL devices is presented. ZnS:Mn nanocrystals contain four different concentrations of Mn (from 0.05 to 1.0 wt%). Almost all previous measurements have been done in the far-field, therefore a local study of optical near-field of samples was applied. Although the electro-optic performance and aging behavior of these devices is rather good, the luminous efficiency is currently not sufficient to justify commercialization of this phosphor. SNOM technique has shown to be extremely important characterization tools for nanostructured materials, not only for engineered semiconductor materials but for molecular-based nanostructures as well.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Microscopy

ISSN

0022-2720

e-ISSN

—

Svazek periodika

229

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000253628500017

EID výsledku v databázi Scopus

—