Noise Reliability Indicators In SMT Chip Resistors

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/00216305:26220/08:PU74379 - isvavai.cz

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Noise Reliability Indicators In SMT Chip Resistors

Popis výsledku v původním jazyce

The possible exploitation of low frequency noise and non-linearity measurements for thin film resistor characterisation is presented. The low frequency noise spectrum is 1/fa type and it is due to two sources: fundamental quantum 1/f noise and excess 1/fnoise. It is fre-quently observed that excess 1/f noise is related to the microscopic sample structure and the manufacturing technology. The non-linearity of A-V characteristic is proportional to the dis-tortion of pure harmonic signal applied to the measured sample. Carrier transport in thin re-sistive layers is not strictly linear and the third harmonic voltage is proportional to the third power of electric field intensity or current density.

Název v anglickém jazyce

Noise Reliability Indicators In SMT Chip Resistors

Popis výsledku anglicky

The possible exploitation of low frequency noise and non-linearity measurements for thin film resistor characterisation is presented. The low frequency noise spectrum is 1/fa type and it is due to two sources: fundamental quantum 1/f noise and excess 1/fnoise. It is fre-quently observed that excess 1/f noise is related to the microscopic sample structure and the manufacturing technology. The non-linearity of A-V characteristic is proportional to the dis-tortion of pure harmonic signal applied to the measured sample. Carrier transport in thin re-sistive layers is not strictly linear and the third harmonic voltage is proportional to the third power of electric field intensity or current density.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

GA102/06/0866: Nelineární elektroultrazvuková spektroskopie pevných látek

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Student EEICT 2008 Proceedings Of The 14th Conference

ISBN

978-80-214-3617-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný CSc.

Místo vydání

Ondráčkova 105 Brno

Místo konání akce

FEKT VUT v Brně

Datum konání akce

24. 4. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—