Noise Reliability Indicators In SMT Chip Resistors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU74379" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU74379 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Noise Reliability Indicators In SMT Chip Resistors
Popis výsledku v původním jazyce
The possible exploitation of low frequency noise and non-linearity measurements for thin film resistor characterisation is presented. The low frequency noise spectrum is 1/fa type and it is due to two sources: fundamental quantum 1/f noise and excess 1/fnoise. It is fre-quently observed that excess 1/f noise is related to the microscopic sample structure and the manufacturing technology. The non-linearity of A-V characteristic is proportional to the dis-tortion of pure harmonic signal applied to the measured sample. Carrier transport in thin re-sistive layers is not strictly linear and the third harmonic voltage is proportional to the third power of electric field intensity or current density.
Název v anglickém jazyce
Noise Reliability Indicators In SMT Chip Resistors
Popis výsledku anglicky
The possible exploitation of low frequency noise and non-linearity measurements for thin film resistor characterisation is presented. The low frequency noise spectrum is 1/fa type and it is due to two sources: fundamental quantum 1/f noise and excess 1/fnoise. It is fre-quently observed that excess 1/f noise is related to the microscopic sample structure and the manufacturing technology. The non-linearity of A-V characteristic is proportional to the dis-tortion of pure harmonic signal applied to the measured sample. Carrier transport in thin re-sistive layers is not strictly linear and the third harmonic voltage is proportional to the third power of electric field intensity or current density.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0866" target="_blank" >GA102/06/0866: Nelineární elektroultrazvuková spektroskopie pevných látek</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Student EEICT 2008 Proceedings Of The 14th Conference
ISBN
978-80-214-3617-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Název nakladatele
Ing. Zdeněk Novotný CSc.
Místo vydání
Ondráčkova 105 Brno
Místo konání akce
FEKT VUT v Brně
Datum konání akce
24. 4. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—