Nanooptika lokálně indukovaného fotoproudu v Si solárních článcích

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75266" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75266 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Nanooptics of locally induced photocurrent in Si solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

This paper is intended to present the results of our experimental study of local defect in silicon solar cells. Solar cells defects are evaluated by Near-field optical induced photocurrent, scanning near-field optical microscope characterization and noise spectroscopy. Low frequency noise is a more sensitive tool for analyzing of degradation phenomena, like electro migration and sort of breakdown. All type of noise - thermal, shot, generation, recombination and 1/f type of noise play a different role inreliability analysis. The correlation between noise and transport characteristic indicates possibility of this diagnostic tool. Therefore the SNOM, NOBIC and noise spectroscopy represent the coupling of very useful methods to provide a non-destructive characterization on silicon semiconductor solar cells.

Název v anglickém jazyce

Nanooptics of locally induced photocurrent in Si solar cells

Popis výsledku anglicky

This paper is intended to present the results of our experimental study of local defect in silicon solar cells. Solar cells defects are evaluated by Near-field optical induced photocurrent, scanning near-field optical microscope characterization and noise spectroscopy. Low frequency noise is a more sensitive tool for analyzing of degradation phenomena, like electro migration and sort of breakdown. All type of noise - thermal, shot, generation, recombination and 1/f type of noise play a different role inreliability analysis. The correlation between noise and transport characteristic indicates possibility of this diagnostic tool. Therefore the SNOM, NOBIC and noise spectroscopy represent the coupling of very useful methods to provide a non-destructive characterization on silicon semiconductor solar cells.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Photonics Prague 2008

ISBN

978-80-86742-25-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Zeithamlová Milena, Ing. - Agentura Action M

Místo vydání

Prague

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

27. 8. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—