Nanooptika lokálně indukovaného fotoproudu v monokrystalických Si solárních článcích

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU76509" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU76509 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Nanooptics of locally induced photocurrent in monocrystalline Si solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents the results of our experimental study of high resolution map of induced photocurrent in monocrystalline silicon solar cells. Photovoltaic solar cells are evaluated by Near-field Optical Beam Induced photocurrent (NOBIC), as well as byScanning Near-field Optical Microscope (SNOM) topography and reflection. The correlation between reflection and transport characteristic indicates possibility of this diagnostic tool. Therefore the SNOM and NOBIC represent the coupling of very useful methods to provide a non-destructive local characterization on silicon semiconductor solar cells.

Název v anglickém jazyce

Nanooptics of locally induced photocurrent in monocrystalline Si solar cells

Popis výsledku anglicky

This paper presents the results of our experimental study of high resolution map of induced photocurrent in monocrystalline silicon solar cells. Photovoltaic solar cells are evaluated by Near-field Optical Beam Induced photocurrent (NOBIC), as well as byScanning Near-field Optical Microscope (SNOM) topography and reflection. The correlation between reflection and transport characteristic indicates possibility of this diagnostic tool. Therefore the SNOM and NOBIC represent the coupling of very useful methods to provide a non-destructive local characterization on silicon semiconductor solar cells.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Photonics, Devices and Systems - Proceedings of SPIE vol.7138

ISBN

978-0-8194-7379-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham, USA

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

27. 8. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—