Model design of the switched current first generation memory cell

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75380" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75380 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Model design of the switched current first generation memory cell

Popis výsledku v původním jazyce

Article describes procedure of the equivalent model design of the read switched current first generation memory cell. The result model is created by the fundamental blocks in Matlab-Simulink. Created model provides structural simulations like a delta-sigma modulator behavior influenced by switched current errors.

Název v anglickém jazyce

Model design of the switched current first generation memory cell

Popis výsledku anglicky

Article describes procedure of the equivalent model design of the read switched current first generation memory cell. The result model is created by the fundamental blocks in Matlab-Simulink. Created model provides structural simulations like a delta-sigma modulator behavior influenced by switched current errors.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

IMAPS CS International Conference 2008 Proceedings

ISBN

978-80-214-3717-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný CSc., Ondráčkova 105

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

10. 9. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—