Stanovení vlastností křemíkových solárních článků pomocí kapacitních měření

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU76329" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU76329 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

On the determination of silicon solar cell properties via capacitance characteristics

Popis výsledku v původním jazyce

Diffusion technology based PN junction silicon solar cells are currently the most widespread solar cell types. Their extremely large junctions (hundreds of cm2) contain lots of defect regions which deteriorate the properties of the whole solar cells. This paper analyses in detail the issue of measuring the reverse-biased PN junction capacity (the barrier capacity) and its applications in non-destructive diagnostics. Relations between the specimen UI curves and noise generated in consequence of local avalanche breakdowns (microplasma noise) will be shown. The capacitance versus reverse voltage plots were measured using the "Auto balancing bridge method", which proved to serve the purpose very well. Thus obtained capacitance versus reverse voltage characteristics provide information on the inhomogeneity nature resulting from local variations of the impurity concentration. Our measurement results have shown that valuable information on the junction, such as, the solar cell P-region accept

Název v anglickém jazyce

On the determination of silicon solar cell properties via capacitance characteristics

Popis výsledku anglicky

Diffusion technology based PN junction silicon solar cells are currently the most widespread solar cell types. Their extremely large junctions (hundreds of cm2) contain lots of defect regions which deteriorate the properties of the whole solar cells. This paper analyses in detail the issue of measuring the reverse-biased PN junction capacity (the barrier capacity) and its applications in non-destructive diagnostics. Relations between the specimen UI curves and noise generated in consequence of local avalanche breakdowns (microplasma noise) will be shown. The capacitance versus reverse voltage plots were measured using the "Auto balancing bridge method", which proved to serve the purpose very well. Thus obtained capacitance versus reverse voltage characteristics provide information on the inhomogeneity nature resulting from local variations of the impurity concentration. Our measurement results have shown that valuable information on the junction, such as, the solar cell P-region accept

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F1551" target="_blank" >GA102/06/1551: Diagnostika elektronických součástek s PN přechodem pomocí šumu mikroplazmy</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference

ISBN

3-936338-24-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

WIP-Renewable Energies

Místo vydání

Valencia, Spain

Místo konání akce

Valencie

Datum konání akce

1. 9. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—