Narrow-band noise as a tool for diagnostics of solar cells pn junctions
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU89295" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU89295 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Narrow-band noise as a tool for diagnostics of solar cells pn junctions
Popis výsledku v původním jazyce
Presented paper deals with noise diagnostics of defects in monocrystalline silicon solar cells PN junctions. Localized regions featuring increased concentration of donor or acceptor impurities, other element admixtures or other defects which cause the PNjunction reverse breakdown voltage to be reduced. When a high electric field is applied to this PN junction, local breakdowns arise in micro-sized regions, which in turn can lead to the deterioration in quality or destruction of the PN junction. The useful tool for diagnostics of local defects in PN junctions is the reverse-biased PN junction narrow-band RMS noise current vs. reverse voltage measuring. The set of crystalline silicon solar cells with different structure was studied by this noise diagnostic method.
Název v anglickém jazyce
Narrow-band noise as a tool for diagnostics of solar cells pn junctions
Popis výsledku anglicky
Presented paper deals with noise diagnostics of defects in monocrystalline silicon solar cells PN junctions. Localized regions featuring increased concentration of donor or acceptor impurities, other element admixtures or other defects which cause the PNjunction reverse breakdown voltage to be reduced. When a high electric field is applied to this PN junction, local breakdowns arise in micro-sized regions, which in turn can lead to the deterioration in quality or destruction of the PN junction. The useful tool for diagnostics of local defects in PN junctions is the reverse-biased PN junction narrow-band RMS noise current vs. reverse voltage measuring. The set of crystalline silicon solar cells with different structure was studied by this noise diagnostic method.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F2013" target="_blank" >GAP102/10/2013: Fluktuační procesy v PN přechodech solárních článků</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2010 9th International Conference on Environment end Electrical engineerong
ISBN
978-1-4244-5374-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Reprotechnika Wroclaw
Místo vydání
Wroclaw
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
16. 5. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—