On the determination of silicon solar cell properties based on capacitance characteristics measurement

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU89111" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU89111 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

On the determination of silicon solar cell properties based on capacitance characteristics measurement

Popis výsledku v původním jazyce

Diffusion technology based pn junction silicon solar cells are currently the most widespread solar cell types. Their extremely large junctions contain lots of defect regions which deteriorate the properties of the whole solar cells. This paper analyses in detail the issue of measuring the reverse-biased pn junction capacity (the barrier capacity) and its applications in non-destructive diagnostics. Relations between the specimen UI curves and noise generated in consequence of local avalanche breakdowns(microplasma noise) will be shown, too. The capacitance versus reverse voltage was measured using the "Auto balancing bridge method", which proved to serve the purpose very well. From experimental data we calculate electric field intensity and subsequently the properties of local defect is possible to determine.

Název v anglickém jazyce

On the determination of silicon solar cell properties based on capacitance characteristics measurement

Popis výsledku anglicky

Diffusion technology based pn junction silicon solar cells are currently the most widespread solar cell types. Their extremely large junctions contain lots of defect regions which deteriorate the properties of the whole solar cells. This paper analyses in detail the issue of measuring the reverse-biased pn junction capacity (the barrier capacity) and its applications in non-destructive diagnostics. Relations between the specimen UI curves and noise generated in consequence of local avalanche breakdowns(microplasma noise) will be shown, too. The capacitance versus reverse voltage was measured using the "Auto balancing bridge method", which proved to serve the purpose very well. From experimental data we calculate electric field intensity and subsequently the properties of local defect is possible to determine.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F2013" target="_blank" >GAP102/10/2013: Fluktuační procesy v PN přechodech solárních článků</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems, IMAPS CS International Conference 2010

ISBN

978-80-214-4138-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Název nakladatele

Novpress

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

1. 9. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—