Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

VA CHARACTERISTICS OF N-CHANNEL CMOS TECHNOLOGY

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU81699" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU81699 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    VA CHARACTERISTICS OF N-CHANNEL CMOS TECHNOLOGY

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Experiments were carried out for n-channel CMOS technology. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift currentcomponent for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the channel and it has a minimum value near the source contact and increases with the distance from the source to the drain. It reaches maximum value near the drain electrode.

  • Název v anglickém jazyce

    VA CHARACTERISTICS OF N-CHANNEL CMOS TECHNOLOGY

  • Popis výsledku anglicky

    Experiments were carried out for n-channel CMOS technology. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift currentcomponent for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the channel and it has a minimum value near the source contact and increases with the distance from the source to the drain. It reaches maximum value near the drain electrode.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GD102%2F09%2FH074" target="_blank" >GD102/09/H074: Diagnostika defektů v materiálech za použití nejnovějších defektoskopických metod</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Sborník příspěvků konference KRÁLÍKY 2009

  • ISBN

    978-80-214-3938-2

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Ing. Martin Slanina, Ph.D.

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Králíky

  • Datum konání akce

    31. 8. 2009

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku