IMPROVED MODEL FOR MOSFET VA CHARACTERISTICS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU81999" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU81999 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
IMPROVED MODEL FOR MOSFET VA CHARACTERISTICS
Popis výsledku v původním jazyce
Experiments were carried out for n-channel CMOS technology. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift currentcomponent for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the channel and it has a minimum value near the source contact and increases with the distance from the source to the drain. It reaches maximum value near the drain electrode.
Název v anglickém jazyce
IMPROVED MODEL FOR MOSFET VA CHARACTERISTICS
Popis výsledku anglicky
Experiments were carried out for n-channel CMOS technology. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift currentcomponent for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the channel and it has a minimum value near the source contact and increases with the distance from the source to the drain. It reaches maximum value near the drain electrode.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Electronic Devices and Systems EDS'09 IMAPS CS International Conference 2009
ISBN
978-80-214-3933-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
NOVPRESS s.r.o.
Místo vydání
Nám. Republiky 15 Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
2. 9. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—