Amplitude of RTS Noise in MOSFETs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU82156" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU82156 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Amplitude of RTS Noise in MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Low frequency noise of NMOS and PMOS field effect transistors was measured in wide temperature range as a function of applied electric field intensity in longitudinal and perpendicular direction and the influence of sample geometry on 1/f noise and RTS noise was examined for various gate lengths. Relative amplitude of RTS noise given by number of carriers under the gate and its dependence on channel and gate bias was analyzed.
Název v anglickém jazyce
Amplitude of RTS Noise in MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Low frequency noise of NMOS and PMOS field effect transistors was measured in wide temperature range as a function of applied electric field intensity in longitudinal and perpendicular direction and the influence of sample geometry on 1/f noise and RTS noise was examined for various gate lengths. Relative amplitude of RTS noise given by number of carriers under the gate and its dependence on channel and gate bias was analyzed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proc. IEEE 21st Int. Conf. on Microelectronics ICM 2009
ISBN
978-1-4244-5815-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Neuveden
Místo konání akce
Marrakéš
Datum konání akce
19. 12. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—